Teknologi Micron adalah yang pertama menghasilkan memori fasa untuk peranti mudah alih. Ada yang belum mengetahui kelebihan teknologi inovatif ini. Untuk mengetahui bagaimana memori telefon berfungsi, anda perlu menganalisis prinsip operasi rangkaian mikro ini, yang dapat beralih dari satu fasa ke fasa yang lain.
Memori fasa adalah litar bersepadu yang berdasarkan peralihan fasa menggunakan nanotube. Pakar menyebutnya berbeza: PRAM, Ovonic Unified Memory, PCM, PCRAM, C-RAM dan Chalcogenide RAM.
Versi utama karyanya adalah transformasi chalcogenide yang luar biasa, yang boleh berpindah dari keadaan amorf ke keadaan kristal dan sebaliknya. Ini berlaku kerana pengaruh suhu arus elektrik yang tinggi pada molekul bahan tersebut.
Ingatan ini dianggap tidak mudah berubah. Kerana ia mempunyai kemampuan untuk menyimpan maklumat walaupun ketika power dimatikan. Dan kelajuan kerjanya hanya dapat dibandingkan dengan DRAM dan bahkan melampauinya.
Sebagai tambahan kepada kebebasan dari tenaga dan prestasi tinggi, memori PCM mempunyai sebilangan besar kemampuan menulis semula, ukuran sel yang besar untuk menyimpan maklumat, ketahanan dan kebolehpercayaan yang sangat baik terhadap faktor luaran.
Semua sifat memori fasa yang diubah fasa di atas memungkinkan untuk memudahkan reka bentuk litar pada peranti mikroelektronik, dan pada masa yang sama meningkatkan kualitinya dan melipatgandakan sifat fungsinya.
Pada masa ini, memori fasa sedang dikembangkan dan terus dibina semula oleh syarikat terkenal seperti Samsung, Intel, Numonyx, IBM. Ia dapat digunakan di bidang seperti elektronik medis, industri otomotif, kejuruteraan aeroangkasa, industri nuklear, dll. Selain itu, teknologi ini menjadi tidak tergantikan pada telefon pintar, tablet dan PC.
Micron menjelaskan bahawa memori fasa memberi kemampuan kepada peranti elektronik untuk boot dalam waktu yang singkat, dengan penggunaan kuasa yang rendah, mempunyai prestasi dan kebolehpercayaan tertinggi. Pencapaian baru ini, yang disebut oleh para saintis sebagai "memori masa depan" akan dapat bersaing dengan memori kilat.
